型号:NTMD6601NR2G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 215 毫欧 @ 2.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 400pF @ 25V |
功率_最大 | 600mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
上海鑫丰电子技术有限公司 | 陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153 |
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
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深圳市信迈龙电子科技有限公司 | 朱0755-28904429 |
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